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和利用双极工艺中隐埋层集电极实现探测器和接收器集成相比，利用CMOS工艺集成探测器接收器所需的额外工艺 步骤要少得多。利用自备低掺杂衬底，在双阱工艺基础上只需一层额外掩模版以掩蔽二极管区调整栅开启电压的 掺杂过程。为了得到较宽的耗尽区宽度以提高探测器速度和响应度，较低的外延层掺杂浓度是必需的。双极工艺中改变掺杂浓度会由于Kirk效应引起 电流增益和晶体管频率的下降，而在CMOS工艺中，由于N沟和P沟器件分别制作在阱中，因此外延层掺杂浓度的减 小对晶体管特性的影响较小。
图1是单电源工作的探测器接收器集成电路图。放大电路包含三个级，M1、M2、M3和RF反馈电阻构成共源跨阻输 入级，源跟随器M2、M5、M8和电流源M3、M6、M9作为电平移位。如果没有电平移位，那么M1的栅源电压VGs将会很 大，减小了探测器的偏压，使光生电流的上升和下降时间变长，导致探测器性能变差。为了减小M2、M5、M8的阈 值电压，其栅的开启电压的掺杂过程被掩蔽，这样可以得到阈值电压为0.4V的晶体管。反馈电阻增加了带宽，稳 定了增益，使工艺容差增大。 
图1 CMOS单片探测器接收器集成电路图
图2是一种反相器结构的OEIC，探测器采用P型叉指结构光电二极管，接收器采用三级反相器。由于8的有源反馈 ，M1和M2形成跨阻反向输入级，通过调节M8栅极电压能改变跨阻阻值使接收器性能最佳。输入级具有将光电流转换为电压的能力，光电流流经有源反馈M8形成和光电流大小成比例的电压。第二级反相器M3和M4起到放大电压作 用。NMOS有源负载M5不仅具有减小增益增大带宽的作用，还起到稳定转换阈值的作用。第三级反相器M6和M7进一 步放大电压，提高增益，形成数字逻辑电平输出。对于这样的直流耦合反相器结构，为了优化性能应该仔细调节 M5和M8的宽长比。
电源电压在1.8 V和3.3 V之间变化，在电压为2.2 V时得到最佳灵敏度。当VDD＝2.2 V、VPD＝10V时，在比特率 为1 Gb/s，误码率为10-9下灵敏度为－6.3 dBm。较低的灵敏度是由于探测器的响应度低引起的，该OEIC的另一缺 点是探测器偏压较大，需要双电源供电。 
图2 CMOS反相器接收器OEIC
图3是利用SOl衬底，通过o.25μm的CMOS SOl工艺得到的低工作电压的OEIC。 
图3 利用SOl衬底通过CMOS实现OEIC
该0EIC探测器采用SOl衬底横向PIN结构，由于SOl的硅层厚度很薄（50 nm），因此在较低偏压下即可形成耗尽区 并且会由于雪崩击穿效应得到较大的响应度（o.4 A/W）。接收电路的输入级N1为NMOS共源结构，P1为有源负载。 N2源跟随器减小了输入级的输出阻抗，N3为电流源，N4将电压放大。P6为源跟随器具有电平移位的功能，提高直流电压幅值以驱动N7源跟随器，进一步减小输出电阻。P3、P4、N5和N6形成镜像电流源，P1、P2和P5通过P3得到镜像电流值。OEIC总面积为650×400μm2，在2V单电源偏压下，对于850 nm入射光带宽达1GHz，灵敏度为-13dBm。
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